第十七届Top-10电源奖是由21ic中国电子网主导的,电子行业内备受认同的关于电源类产品的奖项。该奖项的参选范围包括所有电源类产品。获得该殊荣则代表着该产品在本年度具有极高的产品力和技术创新。评选规则主要从以下三个方面来进行考核:
?在技术或应用方面取得显着进步???????????具有开创性的设计???????????性价比显着提高

TOP 10 POWER
  • LTM4700

    • LTM4700是带数字管理接口的微型电源模块,相比其它竞品具有工作温度低的优点。在进行转换操作时峰值转换率可达90%。LTM4700的出现,改写了过去低电压大电流系统的设计难度。
  • CUWB_YMD-6WR3

    • CUWB_YMD-6WR3是一款开关式直流稳压器,可在车载DC/DC电源模块中保持稳定高效的能量转换。该产品搭载集成式抖频技术可有效降低EMI,确保电源系统在行车过程中的安全。
  • DA9070/3

    • DA9070/3是纳安级静态电流PMIC产品,具有功耗低和集成度高的特点,相比分立器件方案可以缩小25%的电路板面积,为系统设计工程师提供all-in-one的电源管理解决方案。
  • PAC1932/33

    • PAC1932/33是业内惟一具有16位分辨率的双通道功率测量器件,该器件包含两个16位模数转换器,这让开发人员能够获得真实的功耗测量结果,从而更好地设计系统,实现高效节能。
  • TPS7A78

  • NBM2317

    • NBM2317是用于48V和12V系统的桥接转换器,可在97.9%的峰值效率下提供 800W 的功率。该DC-DC转换器利用独特的开关拓扑及封装技术实现高密度、高效率及低成本转换。
  • ISL8282M

    • ISL8282M是一款混合数字电源模块集成LDO,它可以为设计人员提供超快速负载瞬态响应与高抗噪性的独特组合;同时带来了无与伦比的电气和热性能。
  • Si89xx

    • Si89xx系列是基于Silicon Labs第三代隔离技术的全新隔离器产品,既可以取代传统的光耦合器又可以提供比竞品数字隔离器更好的性能,广泛适用于需要高压保护的系统设计中
  • PKM4516AD

    • PKM4516ADPIHS是一款散热性极佳的电源模块,在热设计方面充分考虑RFPA的典型应用场景。随着全球5G商用建设步伐的逐步加快, PKM4516ADPIHS将成为了通信电源的理想之选。
  • NCP51820

    • NCP51820是行业首款用于氮化镓功率开关的高速半桥门极驱动器。该器件内置先进的电平移位技术,并采用安森美半导体最新一代消噪技术,具有当前最短的传输延迟,确保快速驱动GaN器件。
技术突破奖
  • HVCC Capacitor

    • HVCC系列是业界内唯一电容值高达2nF的径向引线高压单层瓷片电容器。对于设计人员来说,可以节省系统空间,降低组装成本。
  • 微系统级IC模块:喜马拉雅uSLIC电源模块

    • 喜马拉雅uSLIC电源模块方案尺寸相比竞争产品减小一半以上。模块中的集成电感可简化电源设计最困难的环节,使缺乏电源设计经验的设计者也能够在一天之内搭建稳定可靠的供电电路。
最佳应用奖
  • STNRG011

    • STNRG011是一款基于数字控制的临界模式PFC和时移LLC 二合一控制器,具有更少的周边元器件、更少的管脚数、更低的空载功耗、更好的轻载效率和更好的动态响应。
  • BridgeSwitch

    • BridgeSwitch IC内部集成了两个性能加强的FREDFET分别用于半桥电路的上管和下管,且具有无损耗的电流检测功能,可使300 W以内的无刷直流电机驱动器应用中的逆变器转换效率达到98.5%。
优化开发奖
  • 微超小尺寸电源管理IC:MAX20049

    • MAX20049电源管理IC在微小封装内集成了4路电源,可以帮助设计者轻松应对汽车摄像模块的小型化发展需求。该器件不仅是尺寸最小,还拥有当前市场最高效率。
  • MCP39F511A

    • MCP39F511A是一款高度集成的双模功率监控IC,在测量交流和直流功率时,能在宽达4000:1的范围内,精度达到行业领先的0.1%。
绿色节能奖
  • LP50xx

  • TEA1993

    • NXTEA1993是新一代同步整流器控制器IC,具有自适应栅极驱动的开关模式电源,可在任何负载下实现最高效率。空载工作时的典型电源电流低于200μA。
自主开发奖
  • PN6367

    • PN6367是一款高性能的原边反馈控制器。最大的特色是超低待机功耗。专利的高压功率芯片的超低待机技术,突破性的实现了600~1200V耐压的AC-DC功率芯片将待机功耗降低到5mW以下,并且具有独特的抗冲击不重启技术。
  • 1200V碳化硅MOSFET

    • 基本半导体1200V 碳化硅MOSFET是国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET。器件的各参数与国际产品参数相当,在国内的1200V 碳化硅MOSFET产品中处于领先水平。
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